隨著led電子屏芯片技術的發展，今后還將出現更多提高led電子屏芯片發光效率的新技術。尤其是，將出現更好的芯片，提高LED芯片的抗靜電功能，降低LED芯片的熱量，提高發光效率。下面跟著迷你小編，看看能做什么。
1，透明襯底技術InGaAlP
指示燈通常在GaAs基板上的外延生長InGaAlP 發光區 GaP窗口區域制造。與InGaAlP相比，GaAs材料的帶隙寬度小得多，因此短波長光在發光區和窗口表面注射GaAs基板時均被吸收，成為設備發射效率不高的主要原因。在基板和限制層之間生長Bragg反射區域，使垂直于基板的射光反射回發光區或窗口，并且部分改進了設備的發光特性。更有效的方法是先移除GaAs基板，并用完全透明的GaP晶體取代。在led電子屏芯片內去除基板吸收區，將量子效率從4%提高到25-30%。為了進一步減少電極區的吸收，將這種透明襯底型InGaAlP裝置做成單面錐形，進一步提高了兩者的效率。
2、金屬膜反射技術
透明襯底進程最初由美國的HP、Lumileds等啟動，金屬膜反射法主要由日本、臺灣廠商進行大量研究和開發。這種工藝不僅規避了透明襯底專利，而且對規模生產更有利。效果可以說是透明襯底法和李谷同行的妙處。此過程通常稱為MB過程，是移除GaAs基板，將其表面與Si基板表面一起涂上al-metal膜，然后在一定溫度和壓力下進行焊接的過程。這樣，從發光層照射到基板的光被Al金屬膜反射到芯片表面，從而使設備的發光效率提高2.5倍以上。
3、表面微結構技術
表面微結構過程是提高在led電子屏芯片表面刻蝕上具有大量光波長的小結構的芯片表面上每個結構被截斷的四面體形狀的設備的發光效率的另一有效技術，這將擴大輸出區域，改變光在芯片表面的折射方向，從而顯著提高光的透射效率。據測量，窗層厚度為20m的裝置的發光效率可以提高到30%。窗層厚度減少到10m，發光效率提高了60%。對于波長在585-625nm的LED元件，在創建紋理結構后，可以達到接近設備水平的30lm/w。4，倒裝芯片技術
MOCVD技術使基于GaN的LED結構層在石基板上生長，P/N接頭發光區發出的光通過上述p 出。由于p型GaN的傳導性能不好，為了實現良好的電流擴展，必須通過蒸汽鍍技術在p區表面形成由Ni-Au層組成的金屬電極層。p區引線通過該層的金屬薄膜誘導。為了良好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層不能太薄。為此，設備的發光效率受到很大影響。一般來說，電流擴展和發光效率兩個因素都要考慮。但是在任何情況下，如果金屬膜存在，總是會惡化透光的性質。此外，由于引線 焊點的存在，led電子屏的發光效率也會受到影響。使用GaN LED倒裝芯片結構可以從根本上消除上述問題。
5、芯片連接技術
led電子屏對所需材料有性能要求，通常帶寬大，材料的折射率需要大幅度變化。不幸的是，一般沒有天然的這種物質。同質外延生長技術一般不能形成所需的帶寬差異和折射指數差，在硅中外延GaAs和InP等一般異質外延技術不僅成本高，而且耦合接口的電勢密度也很高，很難形成高質量的光電集成裝置。低溫耦合技術可以大大減少不同材料之間的熱不匹配問題，減少應力和電位，從而產生高質量的裝置。隨著對粘接機制的理解和粘接工藝技術的成熟，多種不同材料的芯片之間可以相互結合，形成一些特殊用途的材料和裝置。在硅片上形成硅化物層，然后結合，形成新的結構。由于硅化物的電導率高，可以替代雙極裝置的隱藏層，從而減少RC常數。
6、激光剝離技術(LLO)
激光剝離技術(LLO)利用激光能量分解GaN/藍寶石接口的GaN緩沖層，將LED外延薄膜與藍寶石基板分離。技術的優點是，外延芯片可以轉移到熱導率高的熱針上，提高大型芯片的電流擴展。n面的發光區域增加，電極屏蔽小，便于制造微結構，減少刻蝕、磨削、薄片。更重要的是，藍寶石基板可以重復使用。
